可控硅工作原理， 可控硅分为单向可控硅和双向可控硅，其原理如下：
1、单向晶闸管(晶闸管)的结构原理：
单向可控硅是一种可控整流电子元件，可以通过外部控制信号来导通，但一旦导通，就不能通过外部信号来关断，只能通过去掉负载或降低其两端的电压来关断。
单向晶闸管是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件。与只有一个PN结的二极管相比，单向晶闸管的正向导通由控制极的电流控制。与双PN结三极管相比，区别在于晶闸管对控制极电流没有放大作用。
2、双向晶闸管(晶闸管)的结构原理：
双向晶闸管具有双向交替导通和关断的特性。双向晶闸管本质上是两个反并联的单向晶闸管，是一种三电极的半导体器件，由NPNPN五层半导体形成的四个PN结组成。由于主电极在结构上是对称的(它们都从N层引出)，
因此，它的电极不像单向晶闸管那样分别称为阳极和阴极，而靠近控制电极的称为第一电极A1，另一个称为第二电极A2。双向晶闸管的主要缺点是承受电压上升率的能力低。这是因为在双向晶闸管在一个方向上的导通结束时，
硅片各层载流子都没有回到关态位置，必须采取相应的保护措施。双向晶闸管主要用于交流控制电路，如温度控制、照明控制、防爆交流开关和DC电机调速及换向电路。
基于硅单晶的P1N1P2N2四层三端器件始于1957年。由于其特性与真空闸流管相似，国际上称为硅闸流管，缩写为晶闸管T，又由于晶闸管原本处于静态整流状态，
所以也叫可控硅整流元件，简称可控硅。
在性能上，SCR不仅具有单向导通性，还具有比硅整流器(俗称死硅)更有价值的可控性。它只有两种状态：开和关。
可控硅整流器可以控制毫安级电流的大功率机电设备。如果超过这个功率，由于元件的开关损耗显著增加，允许通过的平均电流会降低。此时，标称电流应该下降。
可控硅有很多优点，比如：用小功率控制大功率，功率放大高达几十万倍；反应极快，微秒级开关；无触点操作，无火花，无噪音；效率高，成本低等等。
SCR的缺点：静态和动态过载能力差；容易被干扰误导。
可控硅整流器可分为螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的形状如何，它们的管芯都是P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三个PN结(J1、J2、JBOY3乐队)，阳极A从J1结构的P1层引出，阴极K从N2层引出，控制电极G从P2层引出。
所以是四层三端半导体器件。
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